九融配资端存储涨价周期拐点暂不明产能排挤效应已浮现

AI浪潮下，今年存储市场迎来超级涨价周期，对此，业界普遍关注此轮涨价周期会持续多久，拐点何时出现，与此同时，有关AI泡沫论的担忧依然存在。

AI驱动此轮涨价周期更长

2025年第四季度以来，存储芯片市场经历了一场前所未有的价格风暴。以最新的DDR5 16Gb颗粒为例，其单价在9月底还是7.68美元，但到10月底已飙升至15.5美元，单月涨幅高达102%。涨幅不断扩大，以至于三星、SK海力士和美光等存储原厂一度被迫暂停报价。

存储产品涨价背后，核心驱动因素为AI浪潮发展，带来市场对AI服务器需求激增，进而引发存储产品缺货。

在日前举行的“MTS2026存储产业趋势研讨会”上，时创意董事长倪黄忠表示，2023年OpenAI激发全球AI需求，算力成为核心驱动力。业界预计到2025年，推理应用的兴起将推动AI基础设施集约化发展，并将DRAM与NAND的需求推向新高。与此同时，全球存储产业面临结构性、长周期的严重缺货，市场价格波动剧烈。

英特尔数据中心与人工智能集团副总裁兼中国区总经理陈葆立在会上表示，人工智能自1956年概念诞生以来，近年来因生成式AI技术爆发式增长而进入全新周期。AI技术的飞速发展对数据中心提出更高要求，全球数据总量预计将以约40%的年复合增长率持续攀升。

“AI服务器与通用服务器正共同驱动新一轮存储器超级周期。”集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷在会上指出，TrendForce集邦咨询预估，AI与服务器相关应用到2026年将占DRAM总产能的66% ，云端服务供货商（CSPs）也积极签订长约（LTA）确保服务器DRAM供给。由于此轮需求产品组合复杂（含HBM/DDR5/LPDDR），预期缺货时间将更为持久。

根据TrendForce集邦咨询据供应链调查，估计2025年全球Server出货成长有望逾7%，AI Server将成长逼近25%；展望2026年，全球Server出货量有机会再成长逾9%，AI Server则再提升至成长达二成以上。

产能排挤效应已浮现

集邦咨询顾问（深圳）有限公司董事长董昀昶表示，虽然AI使存储市场价格波动剧烈但AI并非泡沫，需求真实存在，且已改变高科技制造供应链供给顺序。

吴雅婷在接受证券时报·e公司记者采访时表示，此轮涨价周期较以往更为复杂，叠加了AI等因素在内，另外购买存储产品的客户也更多元，此前主要为手机等消费电子品牌企业，现在各类买家都有，整体造成了存储产品供不应求，“这轮周期目前仍在持续中，价格拐点我们暂时还无法预测，预计不会这么快到来”。

吴雅婷说，为应对强劲需求，三大DRAM供货商正积极提升资本支出，并规划新厂优先供应HBM，产能排挤效应已浮现。AI服务器（如NVIDIA GB300）对LPDDR5X的需求激增，已开始严重压缩智能型手机的LPDRAM供给。服务器用的模组同样被HBM排挤，价格于今年第四季度开始飙升。

“AI浪潮下，LLM参数规模暴增导致严峻的存储器瓶颈。HBM（高带宽存储器）虽快，但面临容量有限、成本高昂的挑战，在HBM（极快、极贵）与传统SSD（慢、便宜）间形成效能断层。同时，HDD市场因供应链限制导致交期长达52周，2026年预计将有150EB缺口，迫使需求转向高密度QLC eSSD，造成2026年供不应求。”集邦咨询研究经理罗智文指出。

TrendForce集邦咨询分析，DRAM将面临比NAND更严峻的缺货，市场将出现产能竞价以争夺有限产能。受ASP持续上涨带动（2026年DRAM ASP估年增36%），2026年DRAM营收预计将飙升56%。

企业积极应对机遇与挑战

AI影响存储行业供给、价格、交货周期的同时，也对行业产品性能、结构等带来新的变化。

“当前AI产业蓬勃发展，但AI应用落地面临成本高、能耗大、数据安全隐患等核心痛点。”铨兴科技董事长黄少娃对记者表示，铨兴科技聚焦存算协同创新，推出全离线、软硬一体的AI超显存融合解决方案，支持6B-671B模型全参微调，降本90%且推理并发性能提升50%，打通AI本地化部署“最后一公里”，让低成本、低能耗、高安全的AI应用惠及千行百业，并同步布局高端存储芯片矩阵，推出适配AI推理/训练的PCIe 5.0 eSSD，具备高容量、低延迟、高可靠等优势，为AI数据流提供高效支撑。

Solidigm亚太区销售副总裁倪锦峰指出，ICT行业正历经巨变，AI崛起和数据量爆发式增长，对存储性能、容量和能耗提出了更高要求。针对AI时代海量工作负载和复杂的存储挑战，Solidigm不满足于单点优化，而是要做系统级的突破，提供端到端存储解决方案，助力伙伴共建存力基础。

Solidigm认为2026年算力与存力都继续呈现爆发式增长的态势，Solidigm将立足于持续提供高能效和强大性能的存储解决方案，助力全行业AI发展。

AI终端（包括具身机器人、新能源汽车、AI眼镜、数据中心等）对存储芯片封装工艺要求为超薄、小型化、大容量、高速度。为满足小尺寸大容量需求，传统塑封工艺难以支持。

为此，时创意采用先进的SDBG制程，其切割精度可达1μm，晶圆抗折强度提升30%。同时，C-Molding封装工艺支持8叠/16叠Die，产品封装厚度可薄至0.6mm，满足当前趋势。AI驱动DRAM向大容量、高带宽、低延时、超高频发展。时创意LPDDR5X产品传输速率高达8533Mbps，内置ECC实时纠错，并新增DVFS动态电压频率切换功能，其尺寸相比LPDDR4X减小30%。

据陈葆立介绍，为应对AI带来的挑战，英特尔提供了广泛的数据中心产品组合，包括至强可扩展处理器、Gaudi加速器等，同时构建了全新的“CPU+GPU”异构LLM服务方案 Hetero Flow，通过CPU动态卸载稀疏MoE中的冷专家，显著提升大模型推理并发能力。未来，英特尔将基于18A制程节点，于2026年推出下一代能效核产品Clearwater Forest（至强6+），支持高达8:1的服务器整合比例，可实现约750千瓦的功耗节约以及3.5倍的能效提升。

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